Project Details
Projekt Print View

Kristallwachstum und Charakterisierung von neuen, metastabilen III-V Verbindungshalbleitern mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV auf GaAs

Applicant Dr. Frank Dimroth
Subject Area Experimental Condensed Matter Physics
Term from 2000 to 2002
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5278078
 
Während des 6-monatigen Forschungsaufenthalts an der University of Utah sollen neuartige III-V Halbleiter untersucht werden, die mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV gitterangepaßt zu GaAs gewachsen werden können. Halbleiter mit dieser Eigenschaft sind sowohl für die Anwendung in III-V Solarzellen, als auch für Laser- und andere optoelektronische Bauelemente von großem Interesse. Mögliche Kandidaten sind quaternäre Mischkristalle aus GaInAsN, GaInAsB, GaAsBSb, sowie Tl und Bi-haltige Verbindungen, die bisher weltweit nur von wenigen Gruppen erforscht wurden. Da die Kristalle thermodynamisch metastabil sind, müssen sie fern vom Gleichgewicht abgeschieden werden. Die Entwicklung neuer Wachstumsbedingungen und Ausgangsstoffe ist notwendig, um Schichten mit einer hohen Perfektion herzustellen. Während meiner Dissertation wurden bereits erste Untersuchungen zu gitterfehlangepaßten Schichten aus Ga1-xInxAs auf GaAs mit guten Solarzellenergebnissen durchgeführt. Die Arbeiten an der University of Utah sollen zeigen, ob sich auch zu GaAs gitterangepaßte Materialien mit ähnlichen Eigenschaften herstellen lassen.
DFG Programme Research Fellowships
 
 

Additional Information

Textvergrößerung und Kontrastanpassung