Kristallwachstum und Charakterisierung von neuen, metastabilen III-V Verbindungshalbleitern mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV auf GaAs

• Antragsteller: Dr. Frank Dimroth
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5278078

Während des 6-monatigen Forschungsaufenthalts an der University of Utah sollen neuartige III-V Halbleiter untersucht werden, die mit einer Bandlücke kleiner als 1.4 eV gitterangepaßt zu GaAs gewachsen werden können. Halbleiter mit dieser Eigenschaft sind sowohl für die Anwendung in III-V Solarzellen, als auch für Laser- und andere optoelektronische Bauelemente von großem Interesse. Mögliche Kandidaten sind quaternäre Mischkristalle aus GaInAsN, GaInAsB, GaAsBSb, sowie Tl und Bi-haltige Verbindungen, die bisher weltweit nur von wenigen Gruppen erforscht wurden. Da die Kristalle thermodynamisch metastabil sind, müssen sie fern vom Gleichgewicht abgeschieden werden. Die Entwicklung neuer Wachstumsbedingungen und Ausgangsstoffe ist notwendig, um Schichten mit einer hohen Perfektion herzustellen. Während meiner Dissertation wurden bereits erste Untersuchungen zu gitterfehlangepaßten Schichten aus Ga1-xInxAs auf GaAs mit guten Solarzellenergebnissen durchgeführt. Die Arbeiten an der University of Utah sollen zeigen, ob sich auch zu GaAs gitterangepaßte Materialien mit ähnlichen Eigenschaften herstellen lassen.

• DFG-Verfahren: Forschungsstipendien