Höchstdotierte GeSn-basierte plasmonische Antennen und plasmonisch verstärke GeSn/Si Infrarot-Photoemissions-Photodetektoren auf der Si-Plattform

• Antragstellerinnen / Antragsteller: Yonder Berencén, Ph.D.; Professorin Dr. Inga Fischer
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung seit 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 528206533

Projektziel ist es, Strategien zum Wachstum höchstdotierter GeSn-Legierungen zu untersuchen und deren Anwendungspotential für plasmonische Antennenstrukturen sowie plasmonisch verstärkte Infrarot Photodetektoren zu untersuchen. Diese Strukturen können auf der Si-Plattform realisiert werden und beispielsweise in IR CMOS Sensoren Anwendung finden. Unser Projektvorschlag behinhaltet materialbasierte Forschung an GeSn als ersten Schritt, um das Potential von höchstdotierten GeSn Legierungen, die mit Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt wurden, in Kombination mit Ex-Situ-Dotierstrategien und thermischer Nachbehandlung nutzen zu können. In einem zweiten Schritt sollen diese Legierungen für die Herstellung von plasmonischen Antennen genutzt werden, mit dem Ziel der Signalverstärkung bei Wellenlängen des mittleren Infrarotbereichs. Schließlich ist geplant, auch die Nutzung von Antennenstrukturen zur Verstärkung der Effizienz von Photoemissions-Photodetektoren zu untersuchen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: Taiwan
• Partnerorganisation: National Science and Technology Council (NSTC)
• Kooperationspartner: Professor Dr. Ing-Song Yu