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Projekt
Einfluss der atomaren Transporteigenschaften der Elemente H und O auf die Stabilität von Si-(B)-C-N-Werkstoffen
Antragsteller
Professor Dr.-Ing. Günter Borchardt
Fachliche Zuordnung
Metallurgische, thermische und thermomechanische Behandlung von Werkstoffen
Förderung
Förderung von 2000 bis 2004
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5284470
Mittels Pyrolyse präkeramischer Verbindungen hergestellte amorphe Si-(B)-C-N-Keramiken bilden eine vielversprechende Klasse nichtoxidischer Materialien zum Einsatz als hochtemperaturstabile Werkstoffe. Bedingt durch den Herstellungsprozess sind außer den konstituierenden Elementen Si, C, N und B auch nicht vernachlässigbare Mengen an H und O im Prozentbereich im Material enthalten. Der Einfluß dieser Elemente auf die Langzeitstabilität der Keramiken bei hohen Temperaturen und auf das Kristallisationsverhalten ist momentan völlig ungeklärt. Im Rahmen des Verständnisses der außergewöhnlichen Hochtemperaturstabilität dieser Materialien sollen deshalb die atomaren Transportprozeße dieser beiden Elemente quantifiziert werden. Dieses Ziel soll durch Tracer-Diffusionsmessungen der Elemente H und O unter Verwendung seltener stabiler Isotope und der Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) erreicht werden. Ergänzend sollen Untersuchungen zur Kristallisationskinetik der amorphen Phase in Abhängigkeit vom H- und O-Gehalt mittels zeitabhängiger Röntgen-Pulverdiffraktometrie durchgeführt werden. Mit Hilfe der erzielten Ergebnisse sollen Modelle erstellt werden, welche die Basis für die Entwicklung von technisch-wirtschaftlich relevanten Materialien mit verbesserter Langzeitstabilität bilden.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
Beteiligte Person
Professor Dr. Harald Schmidt
