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Feldeffekttransisitoren mit dotierten organischen Halbleitern

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2001 bis 2007
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5302022
 
Die bisherigen Arbeiten zur p- und n-Dotierung von Oligothiophenen sowie zur n-Dotierung von Perylenderivaten wie PTCDA konzentrierten sich weitgehend auf die Charakterisierung der elektronischen Struktur sowie der elektrischen Eigenschaften an strukturell undefinierten Systemen. Auf der anderen Seite wurde die Schichtbildung undotierter Systeme ex-situ bestimmt. An den luftempfindlichen dotierten Systemen konnten solche Messungen nicht durchgeführt werden, da keine entsprechenden UHV-Aufbauten zur Verfügung standen. Dies hat sich durch den Umzug der Gruppe geändert, so daß im geplanten Projekt gezielt die Einflüsse der Dotierung auf die Schichtbildung untersucht werden sollen. Daran anschließen sollen sich elektrische Messungen zur Leitfähigkeit, des Seebeck-Koeffizienten sowie der (Wanderwellen-) Beweglichkeit, um den Zusammenhang zwischen der Struktur insbesondere mit der Ladungsträgerbeweglichkeit zu studieren.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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