Detailseite
Projekt Druckansicht

Störstellenspektroskopie und molekulare Selbstorganisation durch Orientierungsschichten in organischen Feldeffekt-Transistoren

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2001 bis 2004
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5304510
 
In organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs) konnten in jüngster Zeit durch Optimierung der Materialien und Präparationsbedingungen große Fortschritte erzielt werden und nahezu die Kenndaten von amorphem Silizium erreicht werden. Das physikalische Verständnis der Prozesse in den Bauelementen und ihre quantitative Beschreibung hinkt dieser technologischen Entwicklung jedoch noch hinterher. So ist insbesondere die wichtige Rolle von Zuständen in der Energielücke für die Funktion von OFETs bereits erkannt worden, dennoch fehlt es noch immer an systematischen Untersuchungen über deren Ursprung, deren energetische Verteilung und den genauen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften. In diesem Projekt soll daher eine kombinierte elektrische und optische Spektroskopie von Störstellen in OFETs durchgeführt werden, die eine quantitative Analyse von Transport- und Fallenzuständen im Volumen und an Grenzflächen in Abhängigkeit von den Präparationsbedingungen und dem Aufbau des Bauelements erlaubt. Als weiteres soll die Selbstorganisation von Polymeren bzw. Molekülen mit flüssigkristallinem Charakter auf Orientierungsschichten und deren Einsatz in OFETs untersucht werden. Dazu werden neue Polymere und photovernetzbare reaktive Mesogene auf Fluorenbasis synthetisiert.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

Zusatzinformationen

Textvergrößerung und Kontrastanpassung