Präparation und Charakterisierung kostengünstiger Kurzkanal-OFETs

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Wolfgang Kowalsky
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5304904

Die unerwartet guten elektrischen und optischen Eigenschaften, die mit epitaktisch gewachsenen organischen Molekülkristallen erreicht wurden und die denen von anorganischen Halbleitern nahekommen, haben zu einem wachsenden Interesse am Einsatz dieser Materialien in Bauelementen wie organischen Feldeffekttransistoren (OFETs) geführt. Dabei besteht ein Konflikt zwischen der Forderung nach hochgeordneten, möglichst kristallinen Schichten einerseits und andererseits Fertigungsverfahren, die im Rahmen einer `low-cost`-Technologie abgesehen von großflächigen Aufdampfprozessen und Drucktechniken auf die bekannten Verfahren der Halbleitertechnik verzichten müssen und gleichzeitig die Verwendung von ungeordneten Substraten ermöglichen sollen. Dieser Konflikt kann durch vertikale OFET-Strukturen gelöst werden, bei denen eine Kanallänge im Nanometerbereich durch die einfach zu kontrollierende Dicke von Aufdampfschichten definiert wird, während die laterale Strukturierung durch Drucktechniken erfolgen kann. Der sehr kurze Kanal ermöglicht es, auch in polykristallinen Schichten Eigenschaften zu erreichen, die denen von Einkristallen nahekommen. Derartige Strukturen sollen präpariert und Untersuchungen zu statischen und dynamischen Eigenschaften von OFETs durchgeführt werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1121: Organische Feldeffekt-Transistoren: strukturelle und dynamische Eigenschaften
• Beteiligte Person: Dr. Hans-Hermann Johannes