Untersuchung von Verspannungsphänomenen in GaN-Schichten unter Einsatz hochauflösender Röntgendiffraktometrie bei variabler Meßtemperatur

• Antragsteller: Professor Dr. Detlef Hommel
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2004 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5307350

• Erstellungsjahr: 2008

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Keine Zusammenfassung vorhanden

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Temperature dependence of the thermal expansion of GaN. Phys. Rev. B 72 (2005) 085218
  C. Roder, S. Einfeldt, S. Figge, and D. Hommel
  
• Spectrally resolved distribution of dislocations and crystallographic tilts in GaN layers grown on Si(111) substrates by maskless cantilever epitaxy. J. Appl. Phys. 100 (2006) 053103
  R.I. Barabash, C. Roder, G.E. Ice, J.D. Budai, O.M. Barabash, S. Einfeldt, S. Figge, and D. Hommel
  
• Stress and wafer bending of a-plane GaN layers on r-plane sapphire substrates. J. Appl. Phys. 100 (2006) 103511
  C. Roder, S. Einfeldt, S. Figge, T. Paskova, D. Hommel, P.P. Paskov, B. Monemar, U. Behn, B.A. Haskell, P.T. Fini, and S. Nakamura