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Bedeckungsabhängige/adsorbatinduzierte Halbleiterübergänge und Xe-NMR auf Einkristalloberflächen

Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2001 bis 2002
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5343690
 
In Ergänzung zu b-NMR-Experimenten sind Photoemissionsexperimente an der Lithium-induzierten (3x1)-Rekonstruktion der Si(111)-Oberfläche an der Synchrotron-Strahlungsquelle in Wisconsin mit dem dortigen hochauflösenden Elektronenspektrometer geplant. Zusätzlich sollen die bereits in Madison gemessenen Relaxivitäten von 129Xe in verschiedenen Glas-Metall-Zellen unter dem Aspekt, T1-Zeiten zu extrahieren, analysiert und wenn nötig, ergänzende Messungen an Zellen mit Halbleiter- oder Metalloxidbeschichtung durchgeführt werden.
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
 
 

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