Mesoskopische Strukturen und Epitaxie auf höherindizierten GaAs-Oberflächen (A 2)

• Fachliche Zuordnung: Theoretische Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1994 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5476519

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 296: Wachstumskorrelierte Eigenschaften niederdimensionaler Halbleiterstrukturen
• Antragstellende Institution: Technische Universität Berlin
• Mitantragstellende Institution: Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft (FHI)
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Karl Jacobi