Zentralprojekt: Siliziumkarbid (SiC) als Halbleitermaterial - alternative Wege in Züchtung und Dotierung

• Antragsteller: Professor Dr. Lothar Ley
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5469528

Siliziumkarbit (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einem erheblichen Anwendungspotential, da es physikalische und chemische Eigenschaften besitzt, die es in vielen Bereichen dem etablierten Silizium überlegen macht. Ein Anwendungsfeld liegt in der Leistungselektronik, wo der generelle Einsatz von SiC anstelle von Silizium zu Einsparungen von mehreren Prozent des Gesamtstromverbrauchs führen wird. An der Realisierung dieses Potentials arbeiten daher führende Industrieunternehmen weltweit, und sie werden in vielen Ländern durch langfristig angelegte, nationale Forschungsprogramme unterstützt. Unter dem Zwang zum wirtschaftlichen Erfolg werden dabei fast ausschließlich etablierte Verfahren der Kristallzucht und der Halbleitertechnologie verfolgt. Die hier vorgestellte Forschergruppe will daher alternative Verfahren zur Kristallzucht und zur Prozessierung von SiC im Hinblick auf elektronische Anwendungen verfolgen. In Anbetracht der Tatsache, dass SiC ein vergleicchsweise "junges" Material ist, sehen die Antragsteller in dieser Forschung abbseits des "mainstream" ein reiches und erfolgversprechendes Betätigungsfeld, das in dieser konsequenten Ausrichtung weder in Deutschland noch sonst einem Land bearbeitet wird.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 476: SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung
• Beteiligte Person: Professor Dr. Martin Hundhausen