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Projekt
Dotierung von Galliumnitrid durch Ionenimplantation
Antragsteller
Professor Dr. Bernd Rauschenbach
Fachliche Zuordnung
Physik der kondensierten Materie
Förderung
Förderung von 1997 bis 2001
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5369915
Das Forschungsvorhaben hat das Ziel, die optimalen Bedingungen für die p- und n-Dotierung von GaN-Schichten durch Ionenimplantation und thermischer Nachbehandlung, als Voraussetzung für die Realisierung von elektronischen Bauelementen, zu untersuchen. Parallel erfolgen Untersuchungen zur Separation leitfähiger Bereiche durch Implantation von Helium- bzw. Wasserstoffionen. Es erfolgt eine Konzentration auf die Implantation von Ca- und Mg-Ionen für die p-Dotierung beziehungsweise auf Si- und O-Ionen für die n-Dotierung. Schwerpunkt wird die Reduzierung der bestrahlungsinduzierten Defekte an Ausgangsmaterialien mit möglichst geringer intrinsischer Hintergrundkonzentration sein. Die in der ersten Antragsperiode gewonnenen Bedingungen für die Implantation und insbesondere für die thermische Nachbehandlung werden für die optimale Gestaltung der Dotierung lokaler Bereiche eingesetzt. Letztlich wird angestrebt die physikalischen Zusammenhänge zwischen Dotierung, Defektbildung, thermischer Behandlung und den elektrischen und optischen Eigenschaften aufzuklären, für prognostizierte Anwendungen zu nutzen und reproduzierbar zu gestalten.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
