Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen

• Antragstellerin: Professorin Dr. Angela Rizzi
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5372864

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
• Beteiligte Personen: Professorin Dr. Dagmar Gerthsen; Professor Dr. Hans Lüth