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Elektronenmikroskopische Charakterisierung von Bauelementstrukturen aus Nitrid-Heteroschichten

Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 1997 bis 2002
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5373176
 
Im ersten Berichtszeitraum lag das Hauptaugenmerk der Arbeiten im Bereich der Charakterisierung unterschiedlicher Herstellungsverfahren wie MOVPE, CVD und MBE sowie auf der Optimierung der jeweiligen Herstellungsparameter. Dazu wurden abbildende und analytische Methoden der Raster-Transmissionselektronenmikroskopie wie Ordnungszahlkontrastabbildung, Beugung im konvergenten Bündel und Elektronenergieverlust-Spektroskopie bereitgestellt und bereits äußerst erfolgreich eingesetzt. In der nun folgenden zweiten Bearbeitungsphase sollen die vorhandenen RTEM-Meßverfahren systematisch zur technologiebegleitenden Charakterisierung und Optimierung bauelementrelevanter neuer Materialstrukturen wie folgt eingesetzt werden.- Bestimmung der Grenzflächengüte in Strukturen für Heterostruktur-Bipolar-Transistoren, für Modulations-Dotierte Feldeffekttransistoren und für Emitter- Ermittlung der Güte mittels ELOG-Verfahren hergestellter Schichtstrukturen- Charakterisierung von Phasenseparations- und Ordnungseffekten in ternären Schichten- Exakte unabhängige Messung des In-Gehalts und der Verspannung in InGaN-Schichtsystemen- Bestimmung der lokalen dielektrischen und optischen Eigenschaften im Energiebereich 2eV bis 50eV mit einer Ortsauflösung im Nanometerbereich- Charakterisierung und Optimierung thermischer Oxidationsprozesse für bauelementrelevante Oxidschichten
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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