Modellierung des Trägertransports in Inversionsschichten für MOS-Bauelemente hoher Leistung

• Antragsteller: Professor Dr. Bernd Meinerzhagen
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5377489

Die immer höheren Dotierungen und immer stärkeren elektrischen Felder im Kanalgebiet von Power-NMOSFETs führen dazu, daß ähnlich wie in der Mikroelektronik Quanteneffekte bei der Simulation des Ladungstransports im Inversionskanal nicht länger vernachlässigt werden können. Es soll ein robustes und rechenzeiteffizientes Elektronentransportmodell entwickelt werden, das die wichtigsten Auswirkungen der Quantisierung im Temperaturbereich von -60C bis 220C für maximale Dotierungen von 1018/cm3 und effektive Felder von maximal 1100kV/cm wiedergibt. Dabei muß das Modell so gestaltet sein, daß es ohne Probleme in bestehende Bauelementsimulatoren integriert werden kann und die Rechenzeit nicht wesentlich erhöht wird. Bei der Modellierung der Kanalbeweglichkeit soll auf die bisher in diesem Projekt entwickelten Verfahren zurückgegriffen werden. In Analogie zu den Entwicklungen für Elektronen soll nun auch ein Modell für den Transport von Löchern im Inversionskanal entwickelt werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1038: Halbleiterbauelemente hoher Leistung