Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren

• Antragsteller: Professor Dr. Roland Sittig
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5377513

In einer am Institut abgeschlossenen Dissertation ist eine unkonventionelle Möglichkeit gezeigt worden, mit er es möglich ist einen Überspannungsbegrenzer zu realisieren, der schwingungsfrei bzw. -arm abkommutiert. Im ersten Abschnitt des Förderprojektes konnten nun eindimensionale Strukturen, die die gewünschten Eigenschaften aufweisen, mit den am Institut entwickelten Kurzzeit-Prozessen hergestellt werden. Im Rahmen dieses Folgeantrages steht die Realisierung eines Demonstrators dieser schwingungsfreien Diode im Vordergrund. Hierfür ist es notwendig, neben eindimensionalen FCI-Strukturen auch die Möglichkeiten, die zweidimensionale Strukturen bieten zu untersuchen. Von letzteren wird erwartet, daß es hier durch geschickte Wahl der Parameter möglich ist die Temperaturabhängigkeit im Temperaturintervall von 300 K bis 400 K zu minimieren. Weiterhin sind für die FCI-Strukturen die Fragen zu klären, in wie weit vorgegebene Spannungsgrenzweite erreicht werden können und wie stark sich Variationen einzelner Strukturparameter auswirken.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1038: Halbleiterbauelemente hoher Leistung