Oberflächenbindung und Adsorptionskinetik an Siliziumoberflächen und Grenzflächen

• Antragsteller: Professor Dr. Alexander Föhlisch
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5377789

Die elektronische Struktur von Adsorbaten auf Siliziumoberflächen und damit verbundene Siliziumgrenzflächen soll durch die Kombination von Nahkantenröntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS/XANES) und resonanter Röntgenemissionspetroskopie (RIXS) am Synchrotron und durch elektronenstoßinduzierte Röntgenemission im Labor untersucht werden. Die Anwendung der Röntgenemissionsspektroskopie auf molekulare Adsorbate hat eine grundlegende Neuinterpretation der Oberflächenbindung auf Übergangsmetallen bewirkt. Die erstmalige Anwendung dieser Methode auf Adsorbate an Halbleiteroberflächen hat das Potential eine vergleichbare Neubewertung der Oberflächenbindung für diese Systeme zur Folge zu haben. Die geplanten Untersuchungen gliedern sich in zwei Teilprojekte: Zum einen soll die elektronische Struktur von molekularen Adsorbaten auf der eindomänigen 4° vicinal geschnittenen Si(100) Oberfläche durch Nahkantenröntgenabsorption und Röntgenemission bestimmt werden und zusätzlich soll die Adsorptionskinetik dieser Systeme mittels thermischer Desorptionsspektroskopie untersucht werden. Zum anderen soll die elektronische Struktur von metallischen Adsorbaten auf der eindomänigen Si(100) Oberfläche und von verborgenen Metall/Silizium Grenzflächen untersucht werden. Hierzu kommt gemeinsam mit den Synchrotronstrahlungsmethoden elektronenstoßinduzierte Röntgenemissionspektroskopie im Labor zum Einsatz. Weiterhin soll durch die Anwendung des magnetischen Zirkulardichroismus die Metall/Silizium Grenzfläche unter dem Aspket der Spininjektion untersucht werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Professor Dr. Wilfried Wurth (†)