Oberflächenbindung und Adsorptionskinetik an Siliziumoberflächen und Grenzflächen
Final Report Abstract
In diesem Projekt wurden Adsorptionsgeometrien und elektronische Eigenschaften ungesättigter Kohlenwasserstoffe adsorbiert auf der Si(lOO) Oberfläche durch die Kombination von N ah kanten röntgen absorption s Spektroskopie (NEXAFS/XANES) und resonanter inelastischer Röntgenstreuung (RIXS) bestimmt und detaillierte Modelle der Adsorption erstellt. Im Projektverlauf ergab sich die Notwendigkeit die Interpretation der resonanten inelastischen Röntgenstreuung als experimentelle Methode zur Bestimmung der elektronischen Struktur an molekularen Systemen grundlegend zu untersuchen. Hierzu wurden an kondensierten Molekülen RIXS mit vibrationsselektiver Anregung durchgeführt. Insbesondere ergäbe sich in Kombination mit einer theoretischen Beschreibung ein deutlich verbessertes Verständnis zum Wechselspiel von elektronischer Struktur und der molekularen Dynamik im inelastischen Streuprozess. Die Befunde wurden in 6 Veröffentlichungen dargelegt und weitere Arbeiten zur höchstauflösenden inelastischen Röntgenstreuung, sowie zur Adsorption von Kohlenwasserstoffen auf Siliziumoberflächen werden folgen.
Publications
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A. Pietzsch, F. Hennies, A. Föhlisch, W. Wurth, M. Nagasono, N. Witkowski, M. N. Piancastelli, Adsorption geometry 0/C2//2 on the single-domain Si(001)-(2xl) surface: fully I polarization resolved NEXAFS. Surf. Sei. 562, 65 (2004). |
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F. Hennies, S. Polyutov, I. Minkov, A. Pietzsch, M. Nagasono, F. Gel'mukhanov, L. Triguero, M.-N. Piancastelli, W. Wurth, H. Agren, A. -Föhlisch, Nonadiabatic effects in resonant inelastic x-ray scattering. Phys. Rev. Lett. 95, 163002 (2005).
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F. Hennies, S. Polyutov, Minkov, A. Pietzsch, M. Nagasono, H. Agren, L. Triguero, M.-N. Piancastelli, W. Wurth, F. Gel'mukhanov, and A. Föhlisch | Dynamic Interpretation of Resonant X-ray Raman Scattering: Ethylene and Benzene. I Phys. Rev. A. 76, 032505 (2007).
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Föhlisch, F. Hennies, W. Wurth, N. Witkowski, M. Nagasono, M. N. ¿ Piancastelli, L. Moskaleva, K. Neyman, N. Rösch, Electronic structure and screening dynamics 0/C2//4 on single domain Si(OOl) m from resonant inelastic x-ray scattering. -Phys. Rev. B 69, 153408 (2004).
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Hennies, A. Föhlisch, W. Wurth, N. Witkowski, M. Nagasono, M. N. Piancastelli, -Fully polarization resolved X-ray absorption spectroscopy of-2^4 on singledomain $i(001)-(2xl). Surf. Sei. 529, 144(2003).
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N. Witkowski, F. Hennies, A. Pietzsch, A, Föhlisch, W. Wurth, M. Nagasono, M. N. Piancastelli, -Polarization and angle resolved NEXAFS of benzene adsorbed on oriented I single-domain Si(001)-2xl surfaces. Phys. Rev. B 68, 115408 (2003).
