Untersuchung der Rauhigkeit von elektronischen Grenzflächen in Halbleitern

• Antragsteller: Privatdozent Dr. Philipp Georg Ebert
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5383788

Mittels Rastertunnelmikroskopie sollen die physikalischen Effekte untersucht werden, die die Rauhigkeit und Ausdehnung von elektronischen Grenzflächen zwischen verschieden dotierten Bereichen in Halbleitern bestimmen. Ziel ist es, die Grenzen der räumlichen und energetischen Positionierbarkeit der Fermi-Energie in Halbleiter-Nanostrukturen zu verstehen. Dazu soll der Einfluß der Dotieratomkonzentration, des Dotierelements und der Wachstumsparameter auf die lokale Verteilung der Dotieratome in Hinblick auf deren Clusterbildung und Abschirmung sowie der darauf entstehenden Grenzflächenrauhigkeit untersucht werden. In einem zweiten Schritt soll die lokale elektronische Struktur von isolierten Dotieratomclustern gemessen und mit der Ausbildung der Fermi-Energie korreliert werden. Von den Ergebnissen werden Aussagen über physikalische Grenzen der Miniaturisierung von mikroelektrischen Heterostrukturen erwartet.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen