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Epitaktisch gewachsene AlGaInAsSb-Schichtenfolgen für Halbleiterlaser im mittleren Infrarot

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 1997 bis 2002
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5393839
 
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
 
 

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