Siliziumkarbid Kristallzüchtung und Charakterisierung

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Peter Wellmann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5428342

Wesentliche Bestandteile der Aufgaben des Antragstellers im Organisationskomitee der Konferenz sind a) die Kontaktaufnahme zu deutschen Firmen im Bereich Kristallzüchtung und b) die Zusammenstellung des Tagungsprogramms im März/April 2004 in Grenoble. Eng verbunden mit der eingeladenen Professur ist ein Forschungsaufenthalt am Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Michel Pons, der ein Fachmann auf dem Gebiet der numerischen Simulation der SiC Gasphasenzüchtung ist. Es sind zwei Forschungsinhalte geplant, wobei in beiden Fällen eine wechselseitige Befruchtung der sich ergänzenden Arbeitsgebiete im Bereich der SiC Kristallzüchtung zu erwarten ist.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen