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Laserätzen von Festkörpern mittels adsorbierter Schichten

Subject Area Production Automation and Assembly Technology
Term from 2005 to 2010
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5445161
 
Final Report Year 2010

Final Report Abstract

LESAL (laser etching al a surface-adsorbed layer) ist ein neues Laserätzverfahren für die hochgenaue Strukturierung von transparenten Materialien. Die Charakteristik des LESAL-Prozesses wurde phänomenologisch umfassend untersucht. Insbesondere wurde die Ätzrate von Fused Silica in Abhängigkeit von einer Vielzahl von Prozessparametern (Laserfluenz, Pulsanzahl, Pulswiederholfrequenz, Probentemperatur, Absorberflüssigkeit etc.) ermittelt. Die wesentlichen Prozessbesonderheiten beim Ätzen mit KrF-Laser (l = 248 nm, tpuls = 25 ns) sind: eine konstante Ätzrate über einen großen Fluenzbereich, geringe Ätzraten von ca. 1 nm/Puls und geringe Oberflächenrauheiten. Inkubationsprozesse, d.h. ein verzögertes Einsetzen des Materialabtrags, und nichtlineare Effekte des Ätzabtrags wurden für Pulsanzahl und Bestrahlungsfeldgröße erforscht. Diese Inkubationsprozesse hängen mit laserinduzierten Materialveränderungen zusammen, die ebenfalls ermittelt werden. Obwohl eine geringe chemische Ätzwirkung durch die Variation der Absorberflüssigkeiten erkennbar war, ist diese nicht prozessbestimmend. Zusätzlich zu Nanosekundenlasem wurden Experimente mit ultrakurzen Laserpulsen (l = 775 nm, tpuls = 150 fs) durchgeführt. Die Einflüsse von ausgewählten Prozessparametem wurden mit verschiedenen bildgebenden Verfahren (AFM, REM, Interferenzmikroskopie) ermittelt und Korrelationen festgestellt. Dadurch war es möglich, anwendungsrelevante Prozessfenster zu identifizieren. Ausgehend von diesen Ergebnissen wurden mit Hilfe verschiedener Lasermikrobearbeitungstechniken in Kombination mit dem LESAL-Prozess verschiedene Demonstratorstrukturen wie z. B. Phasenplatten, Transmissionsgitter, Submikrometergitter in Fused Silica geätzt. Die bei diesen Quarzglas-Strukturen erzielten Oberflächenqualitäten, welche typische Rauheitswerte von 1 nm rms und weniger aufweisen, sind außergewöhnlich gut im Vergleich zur klassischen direkten Laserablation. Die geringen Rauheitswerte in Kombination mit der geringen Ätzrate des LESAL-Prozesses legen die Anwendung des LESAL-Prozesses zur Oberflächenpräzisionsbearbeitung z. B. optischer Bauelemente nahe. Zur Aufklärung der bestimmenden Wechselwirkungsprozesse und Mechanismen beim LESAL wurden eine Vielzahl von in-situ- und ex-situ-Analysen (u.a. optische Streu- und Reflexionsmethoden, Photoelektronen- und Rutherfordrückstreu-Spektroskopie) vorgenommen. Zusammenfassend ist gesichert, dass laserinduzierte Adsorbat- und Gasphasenprozesse eine absorbierende Modifizierung im Oberflächenbereich bilden, die den Ätzprozess auslöst; hierdurch werden auch die Inkubationsprozesse erklärbar. Die wesentlichen Bestandteile sind eine maximal 50 nm dicke kohlenstoffdominierte Schicht und eine Oberflächenmodifizierung des Substrats von ca. 10 nm. Die phänomenologischen und analytischen Ergebnisse wurden zusammen mit Literaturdaten zu einem Modell verknüpft, dass die wesentlichen experimentellen Befunde erklären kann. Anwendungspotentiale werden aufgrund des präzisen Materialabtrages und der geringen Schädigung im Bereich der Präzisionsbearbeitung von Oberflächen und dünnen Schichten sowie der Mikrosystemtechnik gesehen.

Publications

  • Vorrichtung und Verfahren zum Laserabtrag transparenter Materialien, DE000010328534B4, 24.06.2003
    K. Zimmer and R. Boehme
  • "Etching of fused silica by excimer laser with nanometer depth precision" MNE 2004, Rotterdam (2004)

  • Laser etching of fused silica using an absorbed toluene layer. Applied Physics a-Materials Science & Processing 79(2004)1883-1885
    K. Zimmer, R. Böhme and B. Rauschenbach
  • Low roughness laser etching effused silica using on adsorbed layer, Applied Surface Science 239(2004)109-116
    R. Böhme and K. Zimmer
  • "Laser etching of transparent materials at a backside surface adsorbed layer" EMRS, Strasburg (2005)
    R. Böhme, K. Zimmer
  • Adsorbed layer etching of fused silica by excimer laser with nanometer depth precision. Microelectronic Engineering 78-79(2005)324-330
    K. Zimmer, R. Böhme and B. Rauschenbach
  • "Backside etching at the interface to diluted medium with nanometer etch rates" LAMP, Japan (2006)
    K. Zimmer, R. Böhme
  • "Surface investigations of fused silica surfaces etched by laser etching at a surface adsorbed layer (LESAL)" ICPEA, Charlottesville (USA), 03.- 07.09. (2006)
    R. Böhme, K. Zimmer, D. Ruthe, B. Rauschenbach
  • Backside Etching at the Interface to Diluted Medium with Nanometer Etch Rates, Journal of Laser Micro Nanoengineering 1(2006)190-194
    R. Böhme, K. Zimmer, D. Ruthe et al.
  • Laser backside etching of fused silica due to carbon layer ablation. Applied Physics a-Materials Science & Processing 82(2006)325-328
    R. Böhme, K. Zimmer and B. Rauschenbach
  • Laser etching of transparent materials at a backside surface adsorbed layer. Applied Surface Science 252(2006)4763-4767
    R. Böhme, D. Hirsch and K. Zimmer
  • "The effect of the vapor-forming material on the laser backside etching of fused silica" EMRS, Strasburg (France), (2007)
    R. Böhme, K. Zimmer
  • The reduction of the threshold fluence at laser-induced backside wet etching due to a liquid-mediated photochemical mechanism, Journal of Physics D-Applied Physics 40(2007)3060-3064
    R. Böhme and K. Zimmer
  • "Laser etching at a surface adsorbed layer (LESAL) - comparison of experimental and theoretical results " EMRS, Strasburg (2009)
    R. Böhme, D. Hirsch, K. Zimmer
 
 

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