Anlage zur Herstellung amorpher Silizium-Schichten

• Fachliche Zuordnung: Elektrotechnik und Informationstechnik
• Förderung: Förderung von 2008 bis 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 54452962

Die beantragte a-Si-Anlage erweitert die wissenschaftlichen und technologischen Möglichkeiten der Arbeitsgruppen Photovoltaik und Sensorik des Instituts für Physikalische Elektronik (ipe) in den Bereichen:Niedertemperaturpassivierung und -kontaktierung von mono- und multikristallinen Siliziumsolarzellen, sowohl für industrielle Standardzellen, als auch für flexible, hocheffiziente Transferzellen;Heterostruktur- (HIT) Solarzellen mit a-Ss und nc-Si auf mono- und multikristallinen Si-Zellen;flexible Solarzellen und -module aus a-Si und nc-Si für Bekleidungsintegration und Kleingeräteversorgung;in-situ Serienverschaltung von Dünnschicht-Photovoltaikmodulen mit neuartigem Verfahren;dreidimensionale Integration von Photodetektoren in Thin-Film-on-CMOS-Kameras;spezialisierte Dünnschichtphotodetektoren für die Bioanalytik, u.a. in kostengünstigen Einwegsensoren.Unseres Wissens wird weltweit keine a-Si PECVD-Anlage mit der Möglichkeit wahlweiser Verwendung flexibler und starrer Substrate in den benötigten Formaten angeboten. Die beantragte Anlage bietet erstmals die Möglichkeit, eine zum Patent angemeldete Erfindung des ipe zur in-situ Serienverschaltung flexibler Dünnschichtsolarzellen im reel-to-reel Betrieb zu testen und weiter zu entwickeln. Für die Photovoltaikproduktion müssen die vielversprechenden Passivierverfahren bei Temperaturen um 200 °C auf Industrieformaten von mindestens 21 x 21 cm untersucht werden. Die Photodetektoren werden entweder auf 8-Zoll Wafern mit hochoptimierter Auslese-Elektronikintegriert, oder für Einwegprodukte der Bioanalytik auf Plastikfolie entwickelt.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
• Antragstellende Institution: Universität Stuttgart
• Leiter: Professor Dr. Jürgen Werner