Laterales Wachstum von Si- und SiGe-LPE Schichten auf strukturierten Substraten

• Antragsteller: Privatdozent Dr. Michael Hanke
• Fachliche Zuordnung: Mineralogie, Petrologie und Geochemie
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5446216

• Erstellungsjahr: 2009

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Keine Zusammenfassung vorhanden

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Analysis of epitaxial laterally overgrown silicon structures by high resolution xray rocking curve imaging. Cryst. Res. Technol. 44 (2009) 534
  B. Heimbrodt, D. Lübbert, R. Köhler, T. Boeck, A.-K. Gerlitzke, and M. Hanke