Exzitonen und Phononen an vertikalen und lateralen Grenzflächen in ultradünnen Halbleitern (S04)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung seit 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 538767711

Projekt S4 (Maultzsch) kombiniert spektroskopische Methoden im UV- und sichtbaren Bereich, um ein vollständiges Bild der elektronischen Struktur und der optischen Anregungen zweidimensionaler Halbleter und daraus hergestellter Heterostrukturen zu zeichnen (mit C1, C2, C3, C4, F2, F3). Ein besonderer Fokus wird auf den Einfluss von Spannungen und Defekten sowie vertikalen und lateralen Grenzflächen in ultradünnen Halbleitern gelegt. Die experimentellen Daten, ergänzt durch diejenigen aus C5, S1, S2, S3, S5, F1, werden mit theoretischen Vorhersagen (M1, M2) kombiniert und sollen entschlüsseln, wie die elektronischen Eigenschaften von den präparativen Verfahren abhängen.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 1719: ChemPrint -- Gedruckte Halbleiter der nächsten Generation: Ingenieurskunst auf atomarer Ebene mittels molekularer Oberflächenchemie
• Antragstellende Institution: Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
• Teilprojektleiterin: Professorin Dr. Janina Maultzsch, seit 7/2025