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SFB 1719: ChemPrint -- Gedruckte Halbleiter der nächsten Generation: Ingenieurskunst auf atomarer Ebene mittels molekularer Oberflächenchemie
Fachliche Zuordnung
Chemie
Informatik, System- und Elektrotechnik
Materialwissenschaft und Werkstofftechnik
Physik
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Materialwissenschaft und Werkstofftechnik
Physik
Förderung
Förderung seit 2025
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Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 538767711
ChemPrint erfindet die Halbleiterforschung neu. Der SFB führt das strukturierte Wachstum funktionaler anorganischer Halbleiter aus der Lösung mit atomarer Präzision unter Verwendung molekularchemischer Kontrolle ein. Die milden Verarbeitungsbedingungen sind energieeffizient und der additive Ansatz materialeffizient, im Gegensatz zu den Merkmalen traditioneller Halbleiterherprozessierung. Unsere Überzeugung ist, dass der ultimative Grad an Kontrolle, der routinemäßig in der klassischen Molekülchemie erreicht wird, vorteilhaft auf Grenzflächenreaktionen zum Wachstum von Halbleiterfilmen mit atomarer Präzision übertragen werden kann. Zu diesem Zweck werden wir molekulare Vorläufer, Reaktionsumgebungen, Abscheidungsverfahren und Substrate maßschneidern, um die Reaktionsmechanismen, die Kinetik und Reversibilität einzelner Schritte, die Grenzflächenenergien und die Mobilität von Adspezies präzise zu gestalten. Die Kontrolle dieser Faktoren unter milden Bedingungen, möglicherweise sogar bei Raumtemperatur, soll den höchstmöglichen Grad an Genauigkeit bei der Positionierung von Atomen oder Ionen in regelmäßigen Strukturen erreichen. Diese Strategie wird es uns dann ermöglichen, originelle Muster und Heterostrukturen entlang horizontaler und vertikaler Dimensionen zu erstellen. Wir streben epitaktische Materialqualität in verschiedenen Formen und entsprechende funktionale Qualität an und zielen dabei auf Halbleiter mit entweder Defektkorrekturfähigkeit oder intrinsischer Defekttoleranz ab. Die erste Förderperiode wird quantitative Designkriterien für diese derzeit unvollständig definierten Konzepte festlegen. Dementsprechend werden wir in den ersten vier Jahren Daten zu drei Materialfamilien sammeln, die eine Reihe von Dimensionalitäten und chemischen Bindungsarten abdecken: schwerere Chalkogenide der Hauptgruppe V (Gruppe 15), Halogenidperowskite und Übergangsmetalldichalkogenide.Der allgemeinen Erkenntnisgewinn wird es dem Konsortium ermöglichen, den Materialschwerpunkt für nachfolgende Förderperioden zu wählen. Die einzelnen Forschungsprojekte des Konsortiums werden in vier Bereiche organisiert: C, Oberflächenchemie & Reaktivität; S, Strukturelle & elektronische Eigenschaften; F, Funktionseigenschaften & Anwendungen; M, Modellierung & Simulation.Auf strategischer Ebene werden die in ChemPrint gewonnenen grundlegenden Erkenntnisse über molekulare Reaktionsmechanismen bei niedrigen Temperaturen an Grenzflächen neue Wege in der Halbleiterverarbeitung eröffnen. Geeignete Funktionsmaterialien und Halbleiterbauelemente werden durch Ansätze zugänglich, die geringe Investitionen erfordern. Innovation wird kleineren Wirtschaftsakteuren in der Informationstechnologie wieder zugänglich. Dies wird den wirtschaftlichen Trend in diesem Sektor umdrehen und eine Rückkehr zu einem dezentraleren, agileren und flexibleren Zustand ermöglichen. Die Initiative soll dazu beitragen, Deutschland an die Spitze einer flexiblen und robusten Halbleiterfertigungsindustrie bringen.
DFG-Verfahren
Sonderforschungsbereiche
Laufende Projekte
- C01 - Steuerung von Ablagerungsort und Morphologie über kovalente und nicht-kovalente Wechselwirkungen (Teilprojektleiter Bachmann, Ph.D., Julien )
- C02 - Oberflächenchemie auf 2D-Materialien (Teilprojektleiter Hirsch, Andreas )
- C03 - Photostrukturiertes Kristallwachstum auf Oberflächen (Teilprojektleiter Dube, Henry )
- C04 - Verständnis und Steuerung der Abscheidung von Halbleiterfilmen mittels elektrochemischer Ansätze (Teilprojektleiterin Ng, Ph.D., Siow Woon )
- C05 - Grundlegende Wachstumsmechanismen für gedruckte Halbleiter verstehen: Von der Oberflächenwissenschaft zu In-situ-Studien in flüssigen Umgebungen (Teilprojektleiter Libuda, Jörg )
- C06 - Festkörper-NMR-Spektroskopie zur Bildung und Strukturkontrolle dünner Halbleiterschichten (Teilprojektleiterin Wisser, Dorothea )
- F01 - Photonen- und Ladungsträgermanagement in niedrigdimensionalen Halbleitern (Teilprojektleiter Guldi, Dirk M. )
- F03 - Lösungsphasenepitaxie (SPE) von Halbleitern: von Einkristallfilmen zu epitaktischen Halbleiter-Heteroübergängen (Teilprojektleiter Brabec, Christoph J. )
- F04 - Direkter Vergleich von Struktur und Leistung von vakuum- und lösungsverarbeiteten Photovoltaikgeräten (Teilprojektleiter Bachmann, Ph.D., Julien )
- F05 - Selektives Wachstum und Geräteintegration von Dünnschichtmaterialien auf selbstorganisierten Monoschichten (Teilprojektleiter Halik, Marcus )
- F06 - Recycelbare optoelektronische Geräte durch reversible Abscheidung und Entfernung von Funktionsschichten mit atomarer Präzision (Teilprojektleiter Peters, Ian Marius )
- M01 - Atomistische Untersuchungen der Strukturbildung neuer elektronischer Materialien durch Dichtefunktionalrechnungen (Teilprojektleiter Görling, Andreas )
- M02 - Phänomene in angeregten Zuständen: Entschlüsselung von Struktur-Eigenschafts-Beziehungen über verschiedene Dimensionen hinweg (Teilprojektleiterin Müller, Carolin )
- M03 - Verständnis und Kontrolle der Nukleation und des Wachstums von 2D-Halbleitern durch molekulardynamische Simulationen (Teilprojektleiter Zahn, Dirk )
- M04 - Zur Kontrolle von Nukleation und Wachstums in 2D-Materialien (Teilprojektleiterin Smith, Ana-Suncana )
- M05 - Die Rolle von Lösungsmitteleigenschaften und Prozessparametern bei der Keimbildung und dem Wachstum von Kristallen beim Trocknen von Lösungen (Teilprojektleiter Harting, Jens )
- S01 - Atomare Einblicke in die Morphologie und elektronische Struktur von 2D-Halbleitern mithilfe von Rasterkraftmikroskopie (Teilprojektleiterin Maier, Sabine )
- S02 - Hochauflösende, analytische und in-situ-Elektronenmikroskopie der Atomstruktur, der lokalen Chemie und der Strukturentwicklung von lösungsverarbeiteten Dünnfilmen (Teilprojektleiter Spiecker, Erdmann )
- S03 - Schrittweise Strukturentwicklung gedruckter Halbleiter: Von ex-situ- zu komplexen in-situ-Studien (Teilprojektleiter Unruh, Tobias )
- S04 - Exzitonen und Phononen an vertikalen und lateralen Grenzflächen in ultradünnen Halbleitern (Teilprojektleiterin Maultzsch, Janina )
- S05 - Bildung von Schichten und Grenzflächen defekttoleranter Funktionsmaterialien untersucht durch Röntgenspektroskopie (Teilprojektleiter Bär, Marcus )
- TMGK - Integriertes Graduiertenkolleg (iRTG) (Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter Halik, Marcus ; Wisser, Dorothea )
- Z - Zentrale Aufgaben des SFB - Koordination (Teilprojektleiter Bachmann, Ph.D., Julien )
Antragstellende Institution
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Beteiligte Institution
Forschungszentrum Jülich; Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie
Sprecher
Professor Dr. Julien Bachmann, Ph.D.
