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Reaktives Magnetron Co-Sputtersystem
Fachliche Zuordnung
Chemische Festkörper- und Oberflächenforschung
Förderung
Förderung in 2025
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 569551798
Die Arbeitsgruppe von Prof. Eichhorn erforscht die physikalischen Grundlagen von Energieumwandlungsprozessen an neuartigen Materialien und Nanostrukturen. Ein Fokus liegt hierbei auf der direkten Umwandlung von Sonnenlicht in speicherbare Energieträger mittels Halbleiter-Photoelektroden. Besonderes Interesse gilt dabei Umwandlungsprozessen an Oberflächen und Grenzflächen neuartiger Oxynitrid- und Nitrid-Dünnfilme. Die Abscheidung solcher homogener und kompakter Dünnfilme mit kontrollierten Materialeigenschaften soll über das beantragte System für reaktives Magnetronsputtern erfolgen, welches über eine Schleuse, ein Gasdosiersystem, mehrere Magnetron-Sputterquellen mit unabhängigen Steuerelektroniken, einen Dickenmonitor und eine Computersteuerung verfügt. Basierend auf der kontrollierten und reproduzierbaren Dünnfilmsynthese, hat die Gruppe von Prof. Eichhorn das Forschungsziel ein klares Verständnis der Beziehung zwischen Grenzflächeneigenschaften, Defekteigenschaften, Ladungstransfer/-transport sowie den allgemeinen photoelektrochemischen Eigenschaften der Halbleiterschichten zu generieren. Hierfür werden neben makroskaligen Charakterisierungsmethoden auch Methoden der Nanomikroskopie und Nanospektroskopie unter (photo)elektrochemischen Operationsbedingungen verwendet. Mit dem gewonnenen Wissen sollen gezielt Strategien entwickelt werden, um neuartige Halbleitermaterialien für (photo)elektrochemische Anwendungen, sowie neuartige Ansätze zur Verbesserung der Reaktionseffizienz und Materialstabilität unter realistischen Betriebsbedingungen zu entwickeln.
DFG-Verfahren
Forschungsgroßgeräte
Großgeräte
Reaktives Magnetron Co-Sputtersystem
Gerätegruppe
8330 Vakuumbedampfungsanlagen und -präparieranlagen für Elektronenmikroskopie
Antragstellende Institution
Technische Universität München (TUM)
Leiterin
Professorin Dr. Johanna Eichhorn
