Kubisches Bornitrid (c-BN) als Material für die Elektronik: Dotierungs-Effekte und erste Anwendungen

• Antragsteller: Professor Dr. Paul Ziemann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 62461341

Aufbauend auf eigenen experimentellen Vorarbeiten zur Herstellung epitaktischer c-BN Filme auf (001)Diamant und deren Dotierung mit Si in einen n-leitenden Zustand, sollen erste Diodenstrukturen vom Typ: 1) p-Diamant (als Substrat) / n(Si)-cBN 2) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN 3) Diamant-Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/Implantation Si (liefert n-cBN) aufgebaut werden. Bei erfolgreichem Diodenverhalten kann dann auch eine erste p-n-p-Transistor-Struktur vom Typ Diamant- Substrat (undotiert) / p-cBN (nominell undotiert)/n(Si)-cBN/ p-cBN präpariert und charakterisiert werden. Die genannten pn-Aufbauten beruhen auf der Beobachtung, dass nominell undotierte c-BN Filme p-Leitung zeigen, welche durch Zudotierung von Si jedoch überkompensiert und in n-Leitung umgewandelt werden kann. Zur Dotierung selbst ist sowohl Ko-Deposition während des Filmwachstums einsetzbar als auch nachträgliche Implantation. Der letztere Prozess soll ebenfalls im Rahmen des Projektes noch weiter optimiert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen