Materialien für grüne Laserdioden hoher Brillanz (A 01)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2008 bis 2011
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 43659573

Das Ziel dieses Projektes ist die Realisierung hocheffizienter und homogener InGaNNanomaterialienund darauf basierend die Demonstration GaN-basierter Laserdioden hoherBrillanz im blau-grünen Spektralbereich. Das Projekt gliedert sich im Wesentlichen in dreiBereiche: 1. Grundlegende Untersuchungen zu Wachstumsprozessen von InGaN-Schichten mit hohem Indium-Gehalt, 2. epitaktisches Wachstum von InGaN-Quantenpunktstrukturen3. Untersuchung des Wachstums auf nichtpolaren GaN-Oberflächen.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 787: Halbleiter - Nanophotonik: Materialien, Modelle, Bauelemente
• Großgeräte: Feldemission-Rasterelektronenmikroskop ; Waferkrümmungssensor
• Antragstellende Institution: Technische Universität Berlin
• Mitantragstellende Institution: Ferdinand-Braun-Institut gGmbH; Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Michael Kneissl; Professor Dr. Günter Tränkle