Ortsaufgelöste Messungen an organischen Feldeffekt-Transistoren zur Studie von Injektions- und Rekombinations-Mechanismen

• Antragsteller: Dr. Bert Nickel
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2008 bis 2011
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 79193993

Die physikalischen Prozesse in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFET) sollen mittels Raster-Photostrom-Messungen ortsaufgelöst untersucht werden. Diese in Vorarbeiten entwickelte Raster-Technik erlaubt Einblicke in OFET-Eigenschaften auf Sub-Mikrometerskala. Diese Längenskala entspricht gerade der typischen Körnigkeit in Pentacene OFETs, sie ist somit geeignet um z.B. schlecht leitende Körner zu identifizieren. Die Überlagerung mit komplementären Rastermetho- den gibt weiteren Einblick in die Natur der defekten Bereiche. Weiterhin soll die strahlende Rekombination von photogenerierten Ladungsträgern mit dem Löcher- strom im OFET mittels einer Fluoreszenz-Optik beobachtet werden, um einen direkten Einblick in die Drift-Diffusionsprozesse im OFET zu gewinnen. Die orts- aufgelösten photoinduzierten Lumineszenz-Messungen ermöglichen es, lokal kon- taktfrei Ladungsträger zu injizieren und auszulesen, mit dem Ziel, ein besseres physikalisches Verständnis der Beweglichkeit und der Lebensdauer der Ladungs- träger in organischen Halbleitern zu erreichen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen