Laserstrahlbonden von Silizium und Silizium auf Wafer- und Chip-to-Wafer-Ebene (T02)

• Fachliche Zuordnung: Mikrosysteme
• Förderung: Förderung von 2009 bis 2011
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5481537

Ziel des Teilprojektes ist die Übertragung der Grundlagenforschungsergebnisse zum Bonden von Silizium und Silizium unter Einsatz von absorbierenden Zwischenschichten auf industrielle Anwendungen mit der Optimierung des Bondens für komplexe Strukturen und die Integration des Prozesses sowie der dafür nötigen Komponenten in eine Bondstation. Mit dieser Bondstation, basierend auf einem Präzisions-Bond-Aligner sollen die Prozesse Pre-bonden, Linien- und Flächenbonden, sowie Post-Bonden zur Reparatur fehlerhafter Bondstellen zur Erhöhung der Ausbeute und zur örtlichen Steigerung der Bondfestigkeit ausgeführt werden können. Weiterhin soll mit diesem Verfahren und der geplanten Maschinentechnik das Bonden von einzelnen Chips auf Wafer (Chip-to-Wafer Bonden) möglich werden.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche (Transferprojekt)
• Teilprojekt zu: SFB 440: Montage hybrider Mikrosysteme
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Unternehmen: SUSS MicroTec Lithography GmbH
• Teilprojektleiter: Professor Dr.-Ing. Arnold Gillner