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Modulares UHV Clustersystem für MBE und ARPES

Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung in 2008
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 92855859
 
„Phasenwechselmaterialien stellen eine der vielversprechendsten Materialklassen für die nichtflüchtige Datenspeicherung dar. Sie zeigen zudem eine Vielzahl von faszinierenden physikalischen Phänomenen, die noch nicht vollständig entschlüsselt sind. Ziel des Projektes ist daher die Herstellung und Charakterisierung epitaktisch gewachsener Dünnschichten aus Phasenwechselmaterialien in einem Ultrahochvakuum-Clustersystem. Mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) sollen sowohl epitaktische Schichten aus Phasenwechselmaterialien auf einem einkristallinen Substrat deponiert werden, als auch entsprechende amorphe Schichten durch Wahl geeigneter Depositionsparameter abgeschieden werden. Damit stünden weltweit erstmalig epitaktische Phasenwechselmaterialien in der technologisch relevanten kristallinen Phase für eine Untersuchung der elektronischen Eigenschaften zur Verfügung. Zur präzisen Bestimmung dieser Eigenschaften soll die winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie eingesetzt werden. Durch umfangreiche Vorexperimente konnten wir zeigen, dass nur durch in-situ Präparation der Schichten die elektronischen Eigenschaften der relevanten Phasen zugänglich sind. Daher wird ein modulares Präparations- und Analysesystem benötigt.“
DFG-Verfahren Forschungsgroßgeräte
Gerätegruppe 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
 
 

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