Defekt-Engineering und Skalierung von resistiv schaltenden oxidischen Dünnschichten (C02)

• Fachliche Zuordnung: Thermodynamik und Kinetik sowie Eigenschaften der Phasen und Gefüge von Werkstoffen
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Im Projekt C2 werden wir die Details der Sauerstoffaustauschreaktion wie die Rolle von Kohlenstoff und Wasserstoff und ihr Zusammenspiel mit Defekten an der Oxid-Dünnschichtoberfläche weiter klären. Ein besonderer Schwerpunkt der dritten Förderperiode liegt auf der Untersuchung der Skalierungsgrenzen kristalliner Modellsysteme (HfO2 und SrTiO3) in Bezug auf den Zusammenhang zwischen der atomaren und elektronischen Struktur bestimmter Fehlerarten und Phasen, die Unterschiede in den feldinduzierten mikroskopischen Veränderungen und die daraus resultierenden elektrischen Veränderungen. Auf der Grundlage dieser Erkenntnisse werden wir Strategien für das Design von Dünnschichten mit optimierter Defektkonfiguration und -phase für eine verbesserte Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit für zukünftige ReRAM-Anwendungen entwickeln.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiterin: Professorin Dr. Regina Dittmann