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Wechselwirkungseffekte in und gateloses Strukturieren von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001)

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2013 bis 2017
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 242781498
 
Ausgehend von der Verfügbarkeit großer Flächen und der Homogenität des Materialsystems epitaktisches Graphen auf Siliziumkarbid (0001) werden wir den Ladungstransport bei tiefen Temperaturen untersuchen. Wir erwarten klare Signaturen von Leitwertkorrekturen auf Grund von Elektron-Elektron-Wechselwirkung. Durch verfeinerte Datenanalyse werden wir die Sensitivität auf den Kondoeffekt vergrößern, und diesen gegebenenfalls finden. Durch gezieltes und fein dosiertes Hinzufügen struktureller Defekte werden wir den Übergang vom Bandtransport zum Hüpftransport experimentell studieren. Besonderes Augenmerk gilt den Wechselwirkungseffekten in Bilagen-Graphen.In einer zweiten Stoßrichtung dieses Projekts werden wir das chemische Potential einer einzigen Graphenschicht strukturieren, indem wir die Grenzfläche zwischen Graphen und dem Substrat lokal selektiv interkalieren, d.h. ohne die Verwendung metallischer Gateelektroden. Dies wird elektronische Funktionalität in der Graphenebene ermöglichen und so den Weg für neue Experimente ebnen.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
Teilprojekt zu SPP 1459:  Graphene
 
 

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