Herstellung von GaAs-basierten maßgeschneiderten Halbleiterquantenstrukturen in funktionalen Umgebungen (Z01)

• Fachliche Zuordnung: Physik
• Förderung: Förderung von 2015 bis 2018
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 249492093

In diesem Projekt werden GaAs-basierte, ultra-reine Halbleiter-Heterostrukturen, Quantenschichten und -punkte in funktionalen Umgebungen hergestellt werden. Damit ist das Projekt die notwendige Material- und Technologiebasis für viele Projekte im ICRC. Für die Herstellung werden schnelles thermisches Ausheilen und fokussierte Ionenimplantation mit Molekularstrahlepitaxie kombiniert werden. Zur Charakterisierung stehen Photolumineszenz, Hall-Messungen, Kapazitäts-Spannungs-Spektroskopie und Fourier-Spektroskopie bereit. Über komplementär dotierte, monolithische epitaktische Gates werden die Ladungsträgerdichten in den Strukturen kontrolliert werden.

• DFG-Verfahren: Transregios
• Teilprojekt zu: TRR 160: Kohärente Manipulation wechselwirkender Spinanregungen in maßgeschneiderten Halbleitern
• Antragstellende Institution: Technische Universität Dortmund
• Mitantragstellende Institution: Ruhr-Universität Bochum
• Teilprojektleiter: Dr. Arne Ludwig; Professor Dr. Andreas Dirk Wieck