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Metall-Oxide TFT Technologieplattform für flexible Schaltkreise in der drahtlosen RF-Kommunikation - Phase 2 (10by10.com2)

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2015 bis 2023
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 273176948
 
Auf dem Forschungsgebiet der flexiblen Dünnschichttransistor-Technologie konnten in den letzten Jahrzehnten enorme Fortschritte erzielt werden. Die Implementierung von biegbaren hochfrequenten Kommunikationssystemen stellt jedoch, insbesondere aufgrund der geringen erreichbaren Transitfrequenz fT der Transistoren, eine besondere Herausforderung dar. Das Projekt macht sich zum Ziel, die Transitfrequenz der TFT Transistoren um das zehnfache anzuheben und gleichzeitig mit Hilfe innovativer harmonischer Schaltungskonzepte eine weitere Verzehnfachung der Betriebsfrequenz zu ermöglichen (10by10). Dieses Ziel wurde in der ersten Projektphase auf der Ebene von Empfängerschaltungen (resistive Selbstmischer) und durch Transitfrequenz oberhalb von 300 MHz erreicht. Ziel der zweiten Projektphase ist es, diese 10by10-Performanz ebenfalls auf der Sendeseite zu realisieren um schließlich über die GHz-Grenze hinaus drahtlose, biegbare Kommunikationssysteme am Ende der zweiten Phase zu ermöglichen.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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