Mechanismen des resistiven Schaltens in oxidischen Mott Isolatoren (B10)

• Fachliche Zuordnung: Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung von 2015 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Das Projekt B10 untersucht die verschiedenen resistiven Schaltmechanismen, die bei Bauelementen mit Cr-dotiertem V2O3 Mott Material in Abhängigkeit von der Materialstruktur, der Sauerstoff-stöchiometrie und dem Cr-Dotierungsgrad sowie den verwendeten Elektroden auftreten. Insbesondere soll untersucht werden, ob Elektronen-Korrelationseffekte (d.h. ein echter "Mott"-Übergang) der Mechanismus sein könnte, der an dem flüchtigen und/oder nichtflüchtigen resistiven Schalten beteiligt ist, das bei Bauelementen mit symmetrischen Elektroden beobachtet wird. So sind temperatur- und ggf. druckabhängige Schaltversuche sowie eine detaillierte Charakterisierung durch TEM und ATP geplant.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiter: Dr. Dirk Wouters