Wachstum und Überwachsen von InAs-Quantenpunkten

• Antragsteller: Professor Dr. Mario Dähne
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2006 bis 2012
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 35019820

• Erstellungsjahr: 2012

Zusammenfassung der Projektergebnisse

In diesem Projekt wurden die atomare Struktur von InAs-Schichten auf GaAs(001)- und GaP(001)-Oberflächen mit Rastertunnelmikroskopie untersucht. Die verschiedenen Stadien der Bildung der InAs-Benetzungsschicht auf GaAs(001) konnten im Detail analysiert werden. Dabei wurde gezeigt, dass sich die Druckverspannung durch den Einbau von Indium und die Zugverspannung durch die Arsendimere an der Oberfläche zumindest teilweise kompensieren. Zudem konnte in einer derzeit noch explorativen Studie gezeigt werden, dass InAs auch auf GaP(001) Quantenpunkte bildet, die aber wesentlich kleiner sind als jene auf GaAs(001).

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Evolution of the InAs wetting layer on GaAs(001)c(4x4) on the atomic scale, Appl. Phys. Lett. 95, 233118(2009)
  J. Grabowski, C. Prohl, B. Höpfner, M. Dähne, and H. Eisele
  
• Atomic structure and strain of the InAs wetting layer growing on GaAs(001), J. Vac. Sci. Technol. B 28, C5E13 (2010)
  C. Prohl, B. Höpfner, J. Grabowski, M. Dähne, and H. Eisele
  
• Atomic structure of the (4x3) reconstructed InGaAs monolayer on GaAs(001), Surf. Sci. 604, 283 (2010)
  H. Eisele, B. Höpfner, C. Prohl, J. Grabowski, and M. Dähne