Wachstum und Überwachsen von InAs-Quantenpunkten

• Applicant: Professor Dr. Mario Dähne
• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 2006 to 2012
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 35019820

• Final Report Year: 2012

Final Report Abstract

In diesem Projekt wurden die atomare Struktur von InAs-Schichten auf GaAs(001)- und GaP(001)-Oberflächen mit Rastertunnelmikroskopie untersucht. Die verschiedenen Stadien der Bildung der InAs-Benetzungsschicht auf GaAs(001) konnten im Detail analysiert werden. Dabei wurde gezeigt, dass sich die Druckverspannung durch den Einbau von Indium und die Zugverspannung durch die Arsendimere an der Oberfläche zumindest teilweise kompensieren. Zudem konnte in einer derzeit noch explorativen Studie gezeigt werden, dass InAs auch auf GaP(001) Quantenpunkte bildet, die aber wesentlich kleiner sind als jene auf GaAs(001).

Publications

• Evolution of the InAs wetting layer on GaAs(001)c(4x4) on the atomic scale, Appl. Phys. Lett. 95, 233118(2009)
  J. Grabowski, C. Prohl, B. Höpfner, M. Dähne, and H. Eisele
  
• Atomic structure and strain of the InAs wetting layer growing on GaAs(001), J. Vac. Sci. Technol. B 28, C5E13 (2010)
  C. Prohl, B. Höpfner, J. Grabowski, M. Dähne, and H. Eisele
  
• Atomic structure of the (4x3) reconstructed InGaAs monolayer on GaAs(001), Surf. Sci. 604, 283 (2010)
  H. Eisele, B. Höpfner, C. Prohl, J. Grabowski, and M. Dähne