Doppelkammer-Molekularstrahl-Epitaxieanlage

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2017
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 369875009

Die Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist die zentrale Technologieanlage des Fachgebiets für die unterschiedlichsten Forschungsprojekte im Bereich der Entwicklung neuartiger nanostrukturierter Halbleitermaterialien, die sowohl für die Entwicklung neuartiger opto-elektronischer Bauelemente als auch für die Entwicklung nanostrukturierter Halbleitersysteme für die Quanteninformationsverarbeitung von entscheidender Bedeutung ist. Die neu zu beschaffende MBE-Doppelanlage mit einer separaten III-V und Si-Ge-Anlage soll erstmals optimale Bedingungen ermöglichen für die Heteroepitaxie von III-V Materialien auf Silizium als auch für eine defektarme III-V Epitaxie, die es erlaubt im Bereich der Si-Photonik die „wafer-bonding-Technologie erfolgreich umzusetzen (Anschlussforschung zu aktuellen EU-Projekt). Zur Erreichung dieser Ziele ist eine vertikale Zellenanordnung mit nach unten gerichteten Substratoberflächen für den gesamten Handhabungsprozess notwendig, die in den bestehenden Anlagen nicht gegeben ist. Um die Kooperationsfähigkeit im Bereich der Si-Photonik zu ermöglichen, wird mindestens die Handhabung von 6“-Si-Substraten benötigt. Die beantragte MBE-Anlage soll deshalb auf 6“-Substrathandhabung ausgelegt werden.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Doppelkammer-Molekularstrahl-Epitaxieanlage
• Gerätegruppe: 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
• Antragstellende Institution: Universität Kassel
• Leiter: Professor Dr. Johann Peter Reithmaier