Kompensations- und Rekombinationszentren in CdTe und CdSe

• Antragsteller: Privatdozent Dr. Eduard Lavrov
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2017 bis 2022
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 377782997

Halbleiter mit großer Bandlücke finden breite Anwendung in der Optoelektronik in Form von Detektoren und dünnen Schichten in der Photovoltaik. Viele dieser Anwendungen leiden unter nachteiligen Verunreinigungen. In diesem Projekt werden wir uns auf dieEigenschaften von CdTe und CdSe konzentrieren. Die meisten Verunreinigungen in diesen Materialien sind leichter als die Wirtsatome; daher ist die Schwingungsspektroskopie die nützlichste Methode um Aufschluss über Symmetrien, Ladungszustände, Bindungsenergien, Diffusionsraten etc. zu erhalten. Das Projekt legt besonderen Wert auf die Untersuchung von Schwefel-, Sauerstoff-, Wasserstoff- und Kupfer-korrelierte Defekte in CdTe und CdSe mittels Ramanstreuung, Fouriertransformation- Infrarotabsorptionsspektroskopie und Kapazitätsspektroskopie. Wir werden uns mit der Kontroverse um Schwefeldioxid und Wasserstoff in CdTe und CdSe während des Kristallzuchtprozesses befassen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen