On-Wafer Messplatz
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Entwurf und Charakterisierung von analogen integrierten Schaltungen im Bereich 5 GHzbis 30 GHz: Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung von analogen integrierten Sende- und Empfangsschaltungen auf der Basis von Foundry-Technologien. Aktuell liegt der Fokus dabei auf dem lizenzfreien ISM-Band nahe 24 GHz und der Entwicklung von Schaltungen für Radaranwendungen in diesem Frequenzbereich auf der Basis der 130 nm CMOS-Technologie des IHP in Frankfurt/Oder. 2. Entwicklung eines effizienten und genauen numerischen Bauelementsimulators für moderne integrierte Feldeffekttransistoren mit Nanometerdimensionen: Innerhalb dieses Projektes wurde in den letzten Jahren erstmals ein Simulator entwickelt, der das elektrische Verhalten neuartiger MOS-Transistoren, die für die Silizium-Technologieentwicklung im nächsten Jahrzehnt relevant sind , in allen wichtigen Arbeitspunktbereichen vorhersagen kann. Der Simulator kann dabei beliebige mechanische Verspannungen, (Stichwort strained Silicon), beliebige kristallographische Kanal- und Grenzflächenorientierungen und SiGe-Heterostrukturen berücksi chtigen. Die Vorhersagefähigkeit des Simulators wurde durch einen umfangreichen Vergleich mit Messungen ausführlich verifiziert. Durch meh rere algorithmische Innovationen konnte ferner erstmals sichergestellt werden, dass bei diesem neuen Simulator und gegebener Simulationsgenauigkeit die Simulationsdauer zuverlässig und einfach abgeschätzt werden kann. Nur dadurch ist dieser Simulator bei den in der Industrie typischerweise auftretenden Reihenuntersuchungen überhaupt sinnvoll einsetzbar. Weitere Informationen dazu auf unserer Webseite www.nst.ing.tu-bs .de.
