Epitaxie auf freitragenden GaN-Substraten

• Antragsteller: Professor Dr. Martin Stutzmann
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5170870

Freitragende GaN Substrate von hoher kristalliner Güte können mit einem speziellen Laser-lift off-Verfahren durch Delamination dicker HVPE-Schichten von deren Saphirsubstraten hergestellt werden. Dieser Prozeß erlaubt die schnelle Herstellung großflächiger, unverspannter GaN-Substrate, die insbesondere für die Homoepitaxie hervorragend geeignet sind, da nahezu alle Nachteile der gegenwärtig verwendeten Nitrid-Heteroepitaxie-Verfahren vermieden werden können. Ein erstes Ziel dieses Projektes ist es, den lift off-Prozeß und die Nachbehandlung der freitragenden GaN-Schichten weiter zu optimieren. Parallel dazu sollen grundlegende Erfahrungen mit der GaN-Homoepitaxie als auch mit der Charakterisierung homoepitaktischer Schichten gewonnen werden. Langfristiges Ziel des Projektes ist es, das Potential freitragender, kostengünstiger GaN-Substrate für die Herstellung optoelektronischer und elektronischer Leistungsbauelemente zu erforschen.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen