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Person

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Professor Dr. Martin Stutzmann

Adresse Technische Universität München
Walter Schottky Institut
Am Coulombwall 4
85748 Garching

Projekte

Als Antragsteller
- abgeschlossene Projekte
  - Amorphe Suboxide des Siliziums: Elektronische Eigenschaften und Anwendungen in der integrierten Optik (Sachbeihilfen)
  - Epitaxie auf freitragenden GaN-Substraten (Schwerpunktprogramme)
  - Elektronische Transporteigenschaften polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronen- und Löchergase in AlInGaN/GaN-basierenden Heterostrukturen hergestellt durch Epitaxie auf freitragenden GaN- bzw. Saphir-Substraten (Schwerpunktprogramme)
  - AlGaN/GaN-basierende Gas-, Flüssigkeits- und Drucksensoren für hohe Temperaturen und chemisch aggressive Umgebungen (Schwerpunktprogramme)
  - Koordinationsfonds im Schwerpunktprogramm (Schwerpunktprogramme)
  - Electrical control and read-out of color centers in diamond (Forschungsgruppen)
  - Entwicklung eines nanostrukturieren Biosensors zur Früherkennung der Huanglongbing-Kranktheit in Zitrus-Pflanzen (Sachbeihilfen)
  - Photochemie von Metallcluster - GaN Halbleiter Hybridmaterialien (Sachbeihilfen)
Als stellvertr. Sprecher
- abgeschlossene Projekte
  - SPP 1032: Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen (Schwerpunktprogramme)
Als Sprecher
- abgeschlossene Projekte
  - SFB 563: Bioorganische Funktionssysteme auf Festkörpern (Sonderforschungsbereiche)
Als beteiligter Wissenschaftler
- laufende Projekte
  - EXC 2089: e-conversion (Exzellenzcluster (ExStra))
- abgeschlossene Projekte
  - EXC 4: Nanosystem Initiative München (NIM) (Exzellenzcluster)
  - GRK 2022: Alberta Universität/Technische Universität München Internationale Graduiertenschule für Funktionelle Hybridmaterialen (ATUMS) (Internationale Graduiertenkollegs)
Als Teilprojektleiter
- abgeschlossene Projekte
  - Defekte und spinabhängige Prozesse in III-V Halbleitern und Bauelementen (Sonderforschungsbereiche)
  - Nanostrukturierung von Halbleitern durch transiente thermische Gitter (Sonderforschungsbereiche)
  - Neue Dünnschicht-Halbleitersubstrate für biologische Anwendungen (Sonderforschungsbereiche)
  - Resonante Tunneldioden aus A1GaN/GaN-Heterostrukturen (Sonderforschungsbereiche)
  - Zentrales Serviceprojekt (Sonderforschungsbereiche)
  - Optoelektronische Eigenschaften biofunktionaler Silizium- und Siliziumkarbidoberflächen (Sonderforschungsbereiche)
  - Gruppe III-Nitride als Substratmaterial für biophysikalische Anwendungen (Sonderforschungsbereiche)
  - Zentrale Aufgaben des Sonderforschungsbereichs (Sonderforschungsbereiche)
  - Grundlagen quantenlogischer Gatter in Silizium (Sonderforschungsbereiche)
Als Beteiligte Person
- abgeschlossene Projekte
  - Anisotropie der optischen und elektronischen Eigenschaften von epitaktischen Siloxenschichten auf Silicium (Schwerpunktprogramme)
  - Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden auf Diamantsubstraten für optoelektronische und elektronische Anwendungen (Sachbeihilfen)
  - Gruppe III-Nitride als Substratmaterial für bioelektronische Anwendungen (Sachbeihilfen)
  - Silicon-based nanocomposites for thermoelectric applications (Schwerpunktprogramme)
  - Graphene biosensors (Schwerpunktprogramme)
Als Kooperationspartner
- abgeschlossene Projekte
  - Funktionale Grenzflächen von Organophosphonaten auf kohlenstoff-basierten Halbleitern (Sachbeihilfen)
Als Mitverantwortlich
- abgeschlossene Projekte
  - Neue Konzepte für gepulste elektrisch detektierte magnetische Resonanz mit hoher Nachweisempfindlichkeit (Schwerpunktprogramme)

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