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Resonante Tunneldioden aus A1GaN/GaN-Heterostrukturen (B16)

Fachliche Zuordnung Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2001 bis 2003
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5478319
 
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren Sonderforschungsbereiche
Antragstellende Institution Technische Universität München (TUM)
 
 

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