SFB 348:  Nanometer-Halbleiterbauelemente - Grundlagen - Konzepte - Realisierungen

• Fachliche Zuordnung: Physik
• Förderung: Förderung von 1991 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5478319

Ziel des Sonderforschungsbereichs 348 ist die Untersuchung von Prinzipien der Nanostrukturierung und die Entwicklung innovativer Verfahren sowie experimenteller und theoretischer Methoden für daraus resultierende neuartige Bauelemente. Dieses Ziel wurde im bisherigen 10-jährigen Förderzeitraum in vielen Teilprojekten z.B. in Form neuartiger Laserdioden (VCSEL für 1.55µm), leistungsfähiger Mikrowellenbauelemente, Nanometer-Wachstumstechniken (CEO) oder photonischer Speicher bereits erreicht. Durch das bewährte Zusammenspiel zwischen rein physikalischen Fragestellungen, die im Teilprojektbereich A (Grundlagen) behandelt werden, mit konkret angewandten Fragestellungen im Teilprojektbereich B (Neuartige Bauelemente), sollen auch in der letzten Förderperiode bis 2003 weitere Innovationen bei Nanometer-Halbleiterbauelementen realisiert werden.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Internationaler Bezug: Österreich, USA

Abgeschlossene Projekte

• A1 - Optische Eigenschaften von ein- und nulldimensionalen Quantentoepfen (Teilprojektleiter Abstreiter, Gerhard )
• A2 - Elektrische Eigenschaften von durch Barrieren getrennten niedrigdimensionalen Systemen (Teilprojektleiter Gornik, Erich )
• A4 - Modellierung elektronischer Eigenschaften und spinselektiver Ladungsträgerdynamik von Nanometerbauelementen (Teilprojektleiter Majewski, Jacek ;  Vogl, Peter ;  Zandler, Günther )
• A5 - Ein- und Vielteilchen-Aspekte bei Halbleiter-Nanostrukturen (Teilprojektleiter Rössler, Ulrich )
• A7 - Korrelationen und Potentialverteilungen in Quanten-Dots und Punktkontakten (Teilprojektleiter Rössler, Ulrich )
• A8 - Nanostrukturierung von Halbleitern durch transiente thermische Gitter (Teilprojektleiter Nebel, Christoph E. ;  Stutzmann, Martin )
• A9 - Lokal angeregte Lumineszenz (spektral aufgelöst) und Nanostrukturierung mit dem Rastertunnelmikroskop (Teilprojektleiter Hartmann, Elmar ;  Koch, Frederick )
• A10 - Niedrigdimensionale Systeme durch Wachstum auf Spaltflächen (Teilprojektleiter Abstreiter, Gerhard ;  Wegscheider, Werner )
• A11 - Elektron-Lochtransport in niedrigdimensionalen Systemen (Teilprojektleiter Karrai, Khaled ;  Wixforth, Achim ;  Zrenner, Artur )
• A13 - Optische Eigenschaften von ein- und nulldimensionalen Quantentöpfen (Teilprojektleiter Karrai, Khaled ;  Warburton, Richard ;  Zrenner, Artur )
• A14 - Defekte und spinabhängige Prozesse in III-V Halbleitern und Bauelementen (Teilprojektleiter Brandt, Martin S. ;  Stutzmann, Martin )
• A15 - Quantentransport in lateralen Übergittern (Teilprojektleiter Kotthaus, Jörg Peter ;  Lorke, Axel ;  Rössler, Ulrich ;  Suhrke, Michael )
• A16 - Ladungsträgerrelaxation und elektrische Feldeffekte in Quantenpunkten (Teilprojektleiter Feldmann, Jochen ;  von Plessen, Gero )
• A17 - Lineare und nichtlineare optische Untersuchungen an einzelnen Quantenpunkten (Teilprojektleiter Leitenstorfer, Alfred ;  Zrenner, Artur )
• A18 - Optisch detektierter spinabhängiger Elekton-Loch Transport (Teilprojektleiter Zrenner, Artur )
• A19 - Spektroskopie an InGaAs-Quantenringen (Teilprojektleiter Karrai, Khaled ;  Lorke, Axel )
• A20 - Strukturänderungen beim Überwachsen von Quantenpunkten (Teilprojektleiter Metzger-Kleinberg, Till Hartmut )
• A21 - Hochfrequenzanregungen in Halbleiternanostrukturen (Teilprojektleiter Abstreiter, Gerhard ;  Blick, Robert H. ;  Kotthaus, Jörg Peter ;  Wegscheider, Werner )
• B1 - Optische Detektoren und Speicher mit lateraler Ortsauflösung im Nanometerbereich (Teilprojektleiter Abstreiter, Gerhard ;  Zrenner, Artur )
• B2 - Steuerbare GaA1As-MQW-Richtkopplerstrukturen (Teilprojektleiter Müller, Rudolf )
• B3 - Ballistische Punktkontakte als Mikrowellendetektoren und -mischer (Teilprojektleiter Kotthaus, Jörg Peter )
• B4 - Millimeter- und Submillimeter Strahlungsquellen durch periodisch modulierte Strukturen (Teilprojektleiter Gornik, Erich )
• B5 - Modellierung der Rauscheigenschaften von Nanometer-Bauelementen (Teilprojektleiter Olbrich, Gerhard )
• B6 - Laufzeitdioden für den Frequenzbereich von 60 GHz - 300 GHz (Teilprojektleiter Freyer, Jürgen ;  Harth, Wolfgang )
• B7 - Oberflächenemittierende Laserdioden mit Mehrfachepitaxie (Teilprojektleiter Tränkle, Günter )
• B8 - Ein-Elektronen-Bauelemente (Teilprojektleiter Abstreiter, Gerhard ;  Kotthaus, Jörg Peter ;  Wegscheider, Werner ;  Wharam, David )
• B10 - Transporttheorie und Schaltungskonzepte für Einzelelektron-Bauelemente (Teilprojektleiter Wachutka, Gerhard K.M. ;  Zwerger, Wilhelm )
• B11 - Oberflächenemittierende Laserdioden (Teilprojektleiter Abstreiter, Gerhard )
• B12 - Transversale Laser-Modulator-Integration (Teilprojektleiter Amann, Markus-Christian )
• B13 - Speicherung und bildgebende Verarbeitung photonischer Signale in lateralen Potentialgittern (Teilprojektleiter Kotthaus, Jörg Peter ;  Wixforth, Achim )
• B14 - Halbleiterbauelemente zur Leistungserzeugung bis 300 GHz (Teilprojektleiter Claassen, Manfred ;  Freyer, Jürgen )
• B15 - Langwellige oberflächenemittierende Laser (Teilprojektleiter Amann, Markus-Christian ;  Meyer, Ralf )
• B16 - Resonante Tunneldioden aus A1GaN/GaN-Heterostrukturen (Teilprojektleiter Ambacher, Oliver ;  Stutzmann, Martin )
• C1 - Gemeinsame Mittelverwaltung (Teilprojektleiter Amann, Markus-Christian )
• YD - Theorie des Quantentransports in niedrigdimensionalen Halbleiterstrukturen

• Beteiligte Institution: Ludwig-Maximilians-Universität München
• Antragstellende Institution: Technische Universität München (TUM)
• Sprecher: Professor Dr.-Ing. Markus-Christian Amann (†)