Chemische Gasphasenabscheidungsanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-CVD)

• Fachliche Zuordnung: Chemische Festkörper- und Oberflächenforschung ; Materialwissenschaft
• Förderung: Förderung in 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 519196594

Beantragt wird eine chemische Gasphasenabscheidungsanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-CVD: Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition) zur Abscheidung von qualitativ sehr hochwertigen Siliziumoxid-, Siliziumnitrid- sowie Siliziumoxynitrid-Dünnschichten. Diese soll die vorhandene Infrastruktur am Institut für Nanostrukturtechnologie und Analytik besonders um Raumtemperaturprozesse und Hochtemperaturprozesse bei 400°C bedeutend erweitern. Die neuen Prozesse würden von mehreren Arbeitsgruppen in zahlreichen Projekten genutzt werden und damit bisher von uns nicht erforschbare Gebiete erschließen. Für viele wissenschaftliche Forschungsaspekte der Antragsteller spielen hochwertige SiO2-Schichten eine Schlüsselrolle, wie bei der Verwendung als Isolationsschichten innerhalb der Plattform-Technologie der Mikrospiegel und Mikroshutter Arrays. Ferner ist bei temperaturempfindlichen Substraten oder Oberflächen (z.B. strukturierte Polymere oder magnetische Dünnschichtsysteme) eine Abscheidung bei sehr geringen Temperaturen nötig, um diese nicht zu schädigen. Gleiches gilt für die Durchführung von Lift-Off-Prozessen, die in der Regel mit Fotolacken umgesetzt werden, so dass eine geringe Prozesstemperatur unabdingbar ist, damit die lithographisch erzeugte Strukturierung nicht verloren geht.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Chemische Gasphasenabscheidungsanlage mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-CVD)
• Gerätegruppe: 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
• Antragstellende Institution: Universität Kassel
• Leiter: Professor Dr. Hartmut Hillmer