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Quantenchemische Untersuchungen zu Bildung, Stabilität sowie strukturellen und elektronischen Eigenschaften von GaBAs- und GalnBAs-Mischkristallen

Antragsteller Privatdozent Dr. Axel Schindler, seit 3/2005
Fachliche Zuordnung Messsysteme
Förderung Förderung von 2002 bis 2007
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5466172
 
Informationen zu strukturellen und elektronischen Eigenschaften aus quantenchemischen abinitio Berechnungen ermöglichen einen Zugang auf molekularer Ebene zur Aufklärung von Reaktionsmechanismen bei Abscheidungs- und Ätzprozessen an Halbleiteroberflächen. Im Rahmen des vorliegenden Projektes sollen in Kombination von molekularen Cluster-Modellen und periodischen SupercellModellen Berechnungen zu zwei Problemkreisen erfolgen: (A) Stickstoffeinbau in GaAs und Bildung nitridischer Mischkristalle und (B) Ätzen von InP-Oberflächen, wobei insbesondere Abhängigkeiten von Oberflächenrekonstruktionen und Gitterfehlorientierungen sowie von den eingesetzten Stickstoff-Precursor-Molekülen (A) bzw. den Ätzgasen (B) systematisch untersucht werden sollen. Die angestrebten Ergebnisse können langfristig wesentlich dazu beitragen, empirische Daten aus den Teilprojekten (TP1,2,4,5,7,8 der geplanten Forschergruppe theoretisch zu untermauern, prozeßrelevante (experimentellen Aufwand sparende) Voraussagen zu treffen und Prozeßsimulationen zu erleichtern.
DFG-Verfahren Forschungsgruppen
Ehemaliger Antragsteller Professor Dr. Thomas Chassé, bis 3/2005
 
 

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