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Projekt
Aufeinander abgestimmte intramolekular adduktstabilisierte Alkoxid- und Amid-Prekursoren für MOCVD von oxidischen ferroelektrischen Schichtstrukturen
Antragstellerin
Professorin Dr. Anjana Devi
Fachliche Zuordnung
Chemische und Thermische Verfahrenstechnik
Förderung
Förderung von 2001 bis 2008
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5313770
Dünne Schichten aus sehr verschiedenen Materialien und mit verschiedenster Mikrostruktur, die von epitaktischen über verschieden texturierte polykristalline Schichten bis zu amorphen Filmen reicht, werden für komplexe Strukturen und Bauelemente benötigt. Im Rahmen des vorgeschlagenen Projektes sollen oxidische ferroelektrische Schichten aus Barium-Strontium-Titanat (BST), Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) und anderen Materialien untersucht werden. Dies beinhaltet die Untersuchung von Nukleation und Wachstum, der konformen Abscheidung und der Heterostrukturen. Für die definierte, kinetisch kontrollierte MOCVD ist dabei das abgestimmte Design der individuellen Precursoren hinsichtlich des Zerfallsverhaltens besonders wichtig. Aus precursorchemischer Sicht müssen daher Fragen der Reinheit, der Flüchtigkeit, der Langzeitstabilität, des Aggregationsverhaltens sowie der Reaktivität und Zersetzungskinetik beantwortet werden. Aufgrund der Komplexität des Problemfeldes, speziell bei der kombinierten Abscheidung, soll beim Precursordesign von bekannten Leitstrukturen ausgegangen werden, die in intelligenter Weise systematisch variiert werden sollen. Dabei ist die Optimierung der Kombination individueller Precursoren das Hauptanliegen. Beim Design der Precursoren soll ganz bewußt auf das Konzept donorfunktionalisierter und im sterischen Anspruch variabel einstellbarer Alkoxidliganden zurückgegriffen werden, um möglichst einheitliche Systeme für alle Metallkomponenten hinsichtlich Struktur und Reaktivität zu erhalten.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
Beteiligte Person
Privatdozent Dr. Peter Ehrhart
