Untersuchung von Schwingungsphänomenen in Modulen mit parallel geschalteten IGBT-Chips

• Antragsteller: Dr.-Ing. Mario Netzel
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5316630

Die Anpassung neuer, parallel geschalteter IGBT-Chips an das Package kann gegenwärtig nur empirisch und damit sehr ungenügend ausgeführt werden, was große Nachteile hervorruft. Insbesondere die auftretenden hochfrequenten Schwingungen während der Schaltvorgänge sind problematisch. Sie erhöhen zum einen die Verluste, viel schwerwiegender ist jedoch die Verschlechterung der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV-Problematik). Im Forschungsprojekt sollen Ursachen und Wirkprinzipien, die zu den Schwingungen führen, grundlegend untersucht und erklärt werden. Darauf aufbauend wird versucht, durch Veränderungen im Design des Packages und durch Detailänderungen an den Halbleitern eine Reduzierung oder Beseitigung der hochfrequenten Schwingungen zu erreichen. Zur Evaluierung der Ergebnisse werden vergleichende Messungen der Hochfrequenzabstrahlung durchgeführt.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1038: Halbleiterbauelemente hoher Leistung